研制成功！研制中子探测器关键技术实现国产化：据科技日报，成功测器近日，中探中国散裂中子源(CSNS)探测器团队利用自主研制的关键国产磁控溅射大面积镀硼专用装置，成功制备出满足中子探测器需求的技术高性能大面积碳化硼薄膜样品，单片面积达到1500mm×500mm，实现薄膜厚度1微米，研制全尺寸范围内厚度均匀性优于±1.32%，成功测器是中探目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜。据了解，关键国产经过多年技术攻关和工艺试制，技术团队攻克了溅射靶材制作、实现过渡层选择、研制基材表面处理等对镀膜质量影响大的成功测器关键技术，利用该装置制备了多种规格的中探碳化硼薄膜，并成功应用于CSNS多台中子谱仪上的陶瓷GEM中子探测器，实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。